1970 yillarda (SN)x polimerinin iletken ve hatta dusuk sicakliklarda super iletken ozelligi kesfedildikten sonra bilim dunyasinda polimer bilesiklerin fiziksel ozelliklerine olan ilgi artti. 1990 yillarda ise sadece inorganik polimerlere degil organik polimerlere de iletken ozellikler kazandirmak icin degisik oligomer bilesikleri sentezleniyor ve bu bilesiklerin iletken ozellikleri inceleniyordu.
Transistor teknolojisinde, Pentacene bilesigi bu alanda kullanilan p-tipi(yani “hole” denilen elektron olmasi gerekip de elektron olmayan bosluklarin iletkenlik de rol oynadigi ) yari iletkenlerden ilkidir. Tabi sistemde pi elektronlarinin delokalize olmasi molekul uzerinde elektron hareketliligini (mobility) artirip, iletkenligi artirirken, bu etki tek basina yeterli degildir. Pentacene molekullerinin birbirlerine gore nasil duzenlendikleri, yani istiflenme sekli iletkenlik icin cok onemli bir parametredir. Dusuk sicakliklarda yapilan kaplama (deposition)tekniklerinde iletkenligi dusuk amorf bilesikler elde edilirken, yuksek sicakliklarda (ince film )thin-film veya tek kristal(single crystal)ozelligine sahip iletkenligi yuksek metaryaller elde edilmistir. Elektronlarin bir pentacene’den digerine atlarken (ki buna “hoping mechanism” denilir) dusuk bir enerji bariyeri olmasi gerekir, bunun icin de pentacene molekullerinin yuz yuze (face-face)olarak dizilmeleri gerekir. Eger kenar-yuzey (edge-face) seklinde kristaller elde edilirse iletkenligin cok dusuk oldugu gorulmustur.Yuz yuze olan durumda pentacene molekullerinin pi orbitalleri molekul duzlemine dik duzlemde ortusebilmekte ve boylece elektronlarin molekuller arasindaki delokalizasyonu artmakta ve hoping mekanizmasindaki enerji bariyeri azalmaktadir.
Su an p-tipi metaryellerden beklenen performans silikon teknojisinin sundugu seviyede degildir, zaten amac (silikon teknojisindeki gibi cok yuksek voltajlar degil) daha ucuz, daha kullanimi kolay, dusuk voltajli islerde kullanilacak metaryeller uretmektir.